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TIP41A 国产替代NPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：60V（Min）
集电极电流（I_C）：6A（连续），10A（峰值）
耗散功率（P_C）：65W @ T_C=25℃；2W @ T_a=25℃
直流电流增益（h_FE）：≥30 @ I_C=0.3A；15~75 @ I_C=3A
饱和压降（V_CE(sat)）：1.5V（Max）@ I_C=6A
与 TIP42A（PNP）互补；封装：TO-220

TIP41A 是一款 60V / 6A / 65W 的 NPN 功率晶体管，与 TIP42A（PNP）互补。器件用于通用功率放大与开关，饱和压降低、线性度好，广泛用于线性稳压、音频功放、电机驱动与电源开关等中功率场合。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	I_CM (A)	P_C (W)	h_FE	T_j (℃)
TO-220	NPN	60	60	6	10	65	15~75	150

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	60	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	6	A
I_CM	集电极电流（峰值）	10	A
I_B	基极电流	2	A
P_C	耗散功率 @ T_C=25℃	65	W
P_C	耗散功率 @ T_a=25℃	2	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.92	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	60	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=30V；I_B=0	--	0.7	mA
I_CES	集电极截止电流	V_CE=60V；V_EB=0	--	400	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=0.3A；V_CE=4V	30	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=4V	15	75	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=6A；I_B=0.6A	--	1.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=6A；V_CE=4V	--	2.0	V
f_T	特征频率	I_C=0.5A；V_CE=10V；f=1MHz	3	--	MHz

应用

线性稳压电源作为串联调整管，用于中功率线性稳压电路。
音频功率放大器与 TIP42A 互补，用于中小功率音频功放的输出级。
电机与继电器驱动用于直流电机、继电器、电磁阀的通断控制。
通用开关电路用于电源开关、负载切换与脉冲驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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