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TIP33C 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：100V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极电流（I_C）：10A（连续），峰值 15A
基极电流（I_B）：3A
集电极耗散功率（P_C）：80W @ T_C=25℃
直流电流增益：h_FE=40（Min）@ I_C=1A
集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=3A
结-壳热阻（R_th(j-c)）：1.56℃/W
封装：TO-247（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

TIP33C 是一款 100V / 10A / 80W 的 NPN 功率三极管，采用 TO-247 封装，饱和压降低、开关与线性特性均衡，适用于音频功放、串联稳压与通用功率开关等场合，与 TIP34C（PNP）互补配对。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-247	NPN	100	100	5	10	80	1.0	40 (Min)	Planar

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	10	A
I_B	基极电流	3	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	80	W
T_J	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.56	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	100	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=30V；I_B=0	--	0.7	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=1.0A；V_CE=4.0V	40	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=3.0A；V_CE=4.0V	20	100	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=3.0A；I_B=0.3A	--	1.0	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=2.5A	--	4.0	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=3.0A；V_CE=4.0V	--	1.6	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=10A；V_CE=4.0V	--	3.0	V

应用

音频功放功放输出级，与 TIP34C 组成互补推挽。
串联稳压电源线性稳压调整管。
通用功率开关继电器、电机、灯控等中等功率开关。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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