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TIP32C 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-100V（Min）
集电极电流（I_C）：-3A
低饱和压降：V_CE(sat)=-1.2V（Max）@ I_C=-3A
集电极耗散功率（P_C）：40W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：25（Min）@ I_C=-1A；10 ~ 50 @ I_C=-3A
与 TIP31C（NPN）互补配对
封装：TO-220C（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

TIP32C 是一款硅外延基 PNP 功率三极管，采用 TO-220C 封装，具有 -100V/-3A 的电压电流能力与 -1.2V 的低饱和压降，与 NPN 型 TIP31C 互补配对，适用于中功率线性放大与开关电路、工业设备等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	Single-P	-100	-100	-5	-3	-1.2	25	50	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-100	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-3	A
I_B	基极电流	-1	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	40	W
T_J	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.125	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-30mA；I_B=0	-100	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-60V；I_B=0	--	-0.3	mA
I_CES	集电极截止电流	V_CB=-100V；V_BE=0	--	-0.2	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-1.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=-1.0A；V_CE=-4V	25	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=-3.0A；V_CE=-4V	10	50	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-3.0A；I_B=-0.375A	--	-1.2	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-3.0A；V_CE=-4V	--	-1.8	V

应用

开关应用开关（Switching）应用。
通用功率放大通用功率放大（General-purpose power amplifier）应用。
线性与开关工业设备线性与开关工业设备（Linear and switching industrial equipment）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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