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TIP162 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：380V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：380V
集电极电流（I_C）：10A（连续），峰值 15A
基极电流（I_B）：1A
集电极耗散功率（P_C）：125W @ T_C=25℃
高直流电流增益：h_FE=200（Min）@ I_C=4A
集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=2.9V（Max）@ I_C=10A
内置基极-发射极分流电阻，关断快、抗干扰能力强
封装：TO-3P（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

TIP162 是一款 380V / 10A / 125W 的 NPN 达林顿功率三极管，采用 TO-3P 封装，耐压高、增益大、驱动功率小，适用于汽车点火、开关电源、电机控制与通用功率开关等场合。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-3P	NPN Darlington	380	380	5	10	125	2.9	200 (Min)	Darlington

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	380	V
V_CEO	集电极-发射极电压	380	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	10	A
I_CM	集电极电流（峰值）	15	A
I_B	基极电流	1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	125	W
T_J	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	380	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=380V；I_B=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	100	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=4.0A；V_CE=2.2V	200	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=6.5A；I_B=0.1A	--	2.8	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=1.0A	--	2.9	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=6.5A；I_B=0.1A	--	2.2	V

应用

汽车点火点火线圈驱动等高压感性负载开关。
开关电源高压侧开关调整与脉冲功率输出。
电机控制直流电机、步进电机的功率驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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