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TIP146 国产替代PNP Darlington Power Transistor

PNP Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：-80V（Min）
集电极电流（I_C）：-10A（连续），-15A（峰值）
耗散功率（P_C）：125W @ T_C=25℃
高直流电流增益（h_FE）：≥1000 @ I_C=-5A；≥500 @ I_C=-10A
饱和压降（V_CE(sat)）：-2.0V @ -5A；-3.0V @ -10A
单体达林顿结构，内置基极-发射极分流电阻
与 TIP141（NPN）互补；封装：TO-3PN（TO-247）

TIP146 是一款 -80V / -10A / 125W 的 PNP 达林顿功率晶体管，与 TIP141（NPN）互补。器件为单体达林顿结构并内置基极-发射极分流电阻，电流增益极高，可用毫安级基极电流驱动数安培负载，广泛用于音频功放、电机与继电器驱动、线性稳压等场合。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	I_CM (A)	P_C (W)	h_FE	T_j (℃)
TO-3PN	PNP	-80	-80	-10	-15	125	≥1000	150

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-80	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-10	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-15	A
I_B	基极电流（连续）	-0.5	A
P_C	耗散功率 @ T_C=25℃	125	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.0	℃/W
R_th(j-a)	结-环境热阻	35.7	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=-30mA；I_B=0	-80	--	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-10mA	--	-2.0	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=-10A；I_B=-40mA	--	-3.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-10A；I_B=-40mA	--	-3.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-10A；V_CE=-4V	--	-3.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-80V；I_E=0	--	-1.0	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-40V；I_B=0	--	-2.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_BE=-5V；I_C=0	--	-2.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-5A；V_CE=-4V	1000	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-10A；V_CE=-4V	500	--	--
t_d	延迟时间	V_CC=-30V；I_C=-5A；I_B=-20mA	--	0.15	μs
t_r	上升时间	V_CC=-30V；I_C=-5A；I_B=-20mA	--	0.55	μs
t_stg	存储时间	V_CC=-30V；I_C=-5A；I_B=-20mA	--	2.5	μs
t_f	下降时间	V_CC=-30V；I_C=-5A；I_B=-20mA	--	2.5	μs

应用

音频功率放大器作为 PNP 侧输出管，与 TIP141（NPN）组成互补推挽输出级。
电机与继电器驱动高 h_FE 允许用毫安级基极电流驱动数安培负载。
线性稳压电源作为达林顿调整管，用于大电流串联稳压电路。
低频开关与电磁阀驱动用于工业控制中的大电流通断场合。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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