TIP142 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(sus)）：100V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极电流（I_C）：10A（连续）
集电极耗散功率（P_C）：125W @ T_C=25℃
高直流电流增益：h_FE≥1000 @ I_C=5.0A，V_CE=4.0V
低饱和压降：V_CE(sat)=2.0V（Max）@ I_C=5.0A
内置基极-发射极分流电阻的单片达林顿结构
与 TIP147（PNP）互补配对
封装：TO-247（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

TIP142 是一款 100V / 10A / 125W 的硅 NPN 达林顿功率三极管，采用 TO-247 封装。内置基极-发射极分流电阻的单片结构带来极高电流增益（h_FE≥1000 @ 5A），可显著降低前级驱动电流，与 PNP 型 TIP147 互补配对，适用于低频开关、通用放大与电机、继电器等大电流负载驱动。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-247	Single-N	100	100	5	10	2.0	1000	--	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	10	A
I_B	基极电流（连续）	0.5	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	125	W
T_J	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	100	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=50V；I_B=0	--	2.0	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	2.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=5.0A；V_CE=4.0V	1000	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=10A；V_CE=4.0V	500	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5.0A；I_B=10mA	--	2.0	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=40mA	--	3.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=40mA	--	3.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=10A；V_CE=4.0V	--	3.0	V

应用

低频开关低频开关（Low frequency switching）电路。
通用放大器通用放大（General-purpose amplifier）应用。
电机 / 继电器驱动大电流感性负载的驱动级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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