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TIP141 国产替代NPN Darlington Power Transistor

NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(sus)）：80V（Min）
集电极电流（I_C）：10A（连续），15A（峰值）
耗散功率（P_D）：125W @ T_C=25℃
高直流电流增益（h_FE）：≥1000 @ I_C=5A；≥500 @ I_C=10A
饱和压降（V_CE(sat)）：2.0V（Max）@ 5A；3.0V（Max）@ 10A
单体达林顿结构，内置基极-发射极分流电阻
结温 / 存储温度：-65 ~ 150℃
封装：TO-247

TIP141 是一款 80V / 10A / 125W 的 NPN 达林顿功率晶体管，与 TIP146（PNP）互补。器件为单体达林顿结构并内置基极-发射极分流电阻，电流增益高，可用很小的基极电流驱动较大负载，适用于音频功放、低速开关、继电器与电磁阀驱动等场合。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CB (V)	I_C (A)	I_CM (A)	P_D (W)	h_FE	T_J (℃)
TO-247	NPN	80	80	10	15	125	≥1000	150

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CEO	集电极-发射极电压	80	V
V_CB	集电极-基极电压	80	V
V_EB	发射极-基极电压	5.0	V
I_C	集电极电流（连续）	10	A
I_C	集电极电流（峰值）	15	A
I_B	基极电流（连续）	0.5	A
P_D	耗散功率 @ T_C=25℃	125	W
T_J, T_stg	工作结温 / 存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.0	℃/W
R_th(j-a)	结-环境热阻	35.7	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=30mA；I_B=0	80	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=40V；I_B=0	--	2.0	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=80V；I_E=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_BE=5.0V	--	2.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=5.0A；V_CE=4.0V	1000	--	--
h_FE	直流电流增益	I_C=10A；V_CE=4.0V	500	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5.0A；I_B=10mA	--	2.0	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=40mA	--	3.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=10A；I_B=40mA	--	3.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=10A；V_CE=4.0V	--	3.0	V

应用

音频功率放大器功放输出级，与 TIP146 组成互补推挽。
低速开关继电器、电磁阀、灯组的开关驱动。
线性稳压电源串联调整管。
电机驱动中小功率直流电机通断与调速。
通用放大需要高电流增益的功率放大级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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