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TIP132 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极-发射极电压（V_CEO）：100V
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：8A（连续）
基极电流（I_B）：0.3A（连续）
集电极耗散功率（P_C）：70W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：2.0V（Max）@ I_C=4A
直流电流增益（h_FE）：1000 ~ 15000 @ I_C=4A
结-壳热阻（R_th(j-c)）：1.78℃/W
封装：TO-220

TIP132 是一款 100V / 8A / 70W 的 NPN 达林顿功率三极管，采用 TO-220 封装，内置基极-发射极分流电阻，直流电流增益高达 1000 ~ 15000，低饱和压降、驱动电流小，适用于功率线性放大与低速开关等通用场景。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-220	Single-N	100	100	5	8	70	2.0	1000 ~ 15000	Silicon NPN 达林顿

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	8	A
I_B	基极电流（连续）	0.3	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	70	W
T_J	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.78	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	100	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=50V；I_B=0	--	0.5	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	0.2	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	5.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1.0A；V_CE=4.0V	500	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=4.0A；V_CE=4.0V	1000	15000	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=4.0A；I_B=16mA	--	2.0	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=6.0A；I_B=30mA	--	3.0	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=4.0A；V_CE=4.0V	--	2.5	V

应用

开关应用继电器、电磁阀等感性负载的低速开关驱动。
通用功率放大通用放大器与功率线性放大输出级。
串联稳压电源串联调整与线性稳压电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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