TIP130 国产替代NPN Darlington Power Transistor

NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：60V
集电极-基极电压（V_CBO）：60V
集电极电流（I_C）：8A（峰值 12A）
集电极耗散功率（P_tot）：70W @ T_case=25℃；2W @ T_amb=25℃
直流电流增益（h_FE）：1000（Min）@ I_C=4A；最高 15000
低饱和压降：V_CE(sat)=2.0V（Max）@ I_C=4A
内置阻尼二极管与基极-发射极电阻（R1≈5kΩ / R2≈150Ω）
结-壳热阻（R_{th j-case}）：1.78℃/W
与 TIP135/136/137（PNP）互补配对
封装：TO-220（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

TIP130 是一款硅外延基区 NPN 单片达林顿功率三极管，具有 60V/8A 的电压电流能力与 1000 倍以上的直流电流增益，内置阻尼二极管与基极-发射极分压电阻，驱动电流需求极低，适用于功率线性放大与开关应用，与 PNP 型 TIP135/136/137 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-N	60	60	5	8	2.0	1000	15000	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压（I_E=0）	60	V
V_CEO	集电极-发射极电压（I_B=0）	60	V
V_EBO	发射极-基极电压（I_C=0）	5	V
I_C	集电极电流（连续）	8	A
I_CM	集电极电流（峰值）	12	A
I_B	基极电流	0.3	A
P_tot	总耗散功率 @ T_case=25℃	70	W
P_tot	总耗散功率 @ T_amb=25℃	2	W
T_j	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-case}	结-壳热阻	1.78	℃/W
R_{th j-amb}	结-环境热阻	63.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=30V；I_B=0	--	0.5	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=30V；I_E=0	--	0.2	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	5	mA
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=30mA；I_B=0	60	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=16mA	--	2.0	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=6A；I_B=30mA	--	4.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=4A；V_CE=4V	--	2.5	V
h_FE	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=4V	500	--	--
h_FE	直流电流增益	I_C=4A；V_CE=4V	1000	15000	--

应用

线性放大功率线性放大（Power linear amplifiers）。
开关电路中低速开关与继电器驱动。
稳压电源串联稳压与电源调整电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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