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TIP120 国产替代NPN Darlington Power Transistor

NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：60V（Min）
集电极电流（I_C）：5A（连续），8A（峰值）
耗散功率（P_C）：65W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：≥1000 @ I_C=0.5A / 3A
饱和压降（V_CE(sat)）：2.0V（Max）@ I_C=3A；4.0V（Max）@ I_C=5A
基极-发射极导通电压（V_BE(on)）：2.5V（Max）@ I_C=3A
单体达林顿结构，内置基极-发射极分流电阻
封装：TO-220

TIP120 是一款 60V / 5A / 65W 的 NPN 达林顿功率晶体管，与 TIP125（PNP）互补。器件为单体达林顿结构并内置基极-发射极分流电阻，电流增益极高，可用毫安级基极电流驱动数安培负载，适用于线性放大、开关电源、电机与继电器驱动等通用场合。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	I_CP (A)	P_C (W)	h_FE	T_J (℃)
TO-220	NPN	60	60	5	8	65	≥1000	150

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	60	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	5	A
I_CP	集电极电流（峰值）	8	A
I_B	基极电流（连续）	0.12	A
P_C	耗散功率 @ T_C=25℃	65	W
T_J	最高结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.92	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA；I_B=0A	60	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=60V；I_E=0A	--	0.2	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=30V；I_B=0A	--	0.5	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0A	--	2.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=0.5A；V_CE=3V	1000	--	--
h_FE	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=3V	1000	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=12mA	--	2.0	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=20mA	--	4.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=3A；V_CE=3V	--	2.5	V

应用

电机驱动直流电机、步进电机与风机调速。
继电器/电磁阀工业控制中的大电流负载开关。
LED 与灯串驱动恒流或开关式 LED 驱动。
电源调整线性稳压与串联调整。
汽车与消费电子车载附件、家电控制板功率开关。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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