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TIP112 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(sus)）：100V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极电流（I_C）：2A（连续），脉冲 4A
耗散功率（P_C）：50W @ T_C=25℃，2W @ T_A=25℃
高直流电流增益：h_FE≥1000 @ I_C=1A，V_CE=4V
低饱和压降：V_CE(sat)=2.5V（Max）@ I_C=2A
内置基极-发射极分流电阻的单片达林顿结构
与 TIP117（PNP）互补配对
封装：TO-220（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

TIP112 是一款 100V / 2A / 50W 的硅 NPN 达林顿功率三极管，采用 TO-220 封装。单片达林顿结构内置基极-发射极分流电阻，电流增益高达 1000 以上（@1A），可用极小基极电流驱动较大负载，与 PNP 型 TIP117 互补配对，适用于通用放大与低速开关。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	I_CP (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	Structure
TO-220	Single-N	100	100	5	2	4	2.5	1000	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	2.0	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	4.0	A
I_B	基极电流（连续）	50	mA
P_C	耗散功率 @ T_C=25℃	50	W
P_C	耗散功率 @ T_A=25℃	2.0	W
T_J	工作结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	2.5	℃/W
R_th(j-a)	结-环境热阻	62.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=30mA；I_B=0	100	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=50V；I_B=0	--	2.0	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	2.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=1.0A；V_CE=4.0V	1000	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=2.0A；V_CE=4.0V	500	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=2.0A；I_B=8.0mA	--	2.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=2.0A；V_CE=4.0V	--	2.8	V
C_ob	输出电容	V_CB=10V；I_E=0；f=0.1MHz	--	100	pF

应用

通用放大通用放大器输出级（General-purpose amplifier）。
低速开关低频率开关电路（Low-speed switching）。
互补配对与 TIP117（PNP）配对用于推挽输出。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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