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MJW21194 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：250V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：400V
集电极电流（I_C）：16A（连续）
集电极耗散功率（P_C）：200W @ T_C=25℃
高直流电流增益：h_FE=20（Min）@ I_C=8A
集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=1.4V（Max）@ I_C=8A
增益线性度好，适合大功率音频输出
结-壳热阻（R_th(j-c)）：0.7℃/W
封装：TO-247（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

MJW21194 是一款 250V / 16A / 200W 的 NPN 功率三极管，采用 TO-247 封装，增益线性度好、饱和压降低，适用于大功率音频功放输出、磁盘磁头定位驱动与线性放大等场合，与 MJW21193（PNP）互补配对。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-247	NPN	400	250	5	16	200	1.4	20 ~ 80	Planar

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	400	V
V_CEO	集电极-发射极电压	250	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	16	A
I_B	基极电流	5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	200	W
T_J	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.7	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	250	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=200V；I_B=0	--	100	µA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=250V；I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	100	µA
h_FE1	直流电流增益	I_C=8A；V_CE=5V	20	80	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=16A；V_CE=5V	8	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=0.8A	--	1.4	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=16A；I_B=3.2A	--	4.0	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=8A；V_CE=5V	--	2.2	V

应用

大功率音频功放高保真音频输出级，与 MJW21193 互补配对。
磁头定位驱动磁盘磁头位置控制器等线性驱动场合。
线性放大 / 稳压大电流线性调整与通用功率放大。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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