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MJE2955T 国产替代PNP Power Transistor

PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-70V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-60V
发射极-基极电压（V_EBO）：-5.0V
集电极电流（I_C）：-10A（连续）
耗散功率（P_C）：75W @ T_C=25℃
饱和压降（V_CE(sat)）：-1.1V @ I_C=-4A；-8.0V @ I_C=-10A
直流电流增益（h_FE）：20 ~ 100 @ I_C=-4A
封装：TO-220

MJE2955T 是一款 -60V / -10A / 75W 的 PNP 功率晶体管，与 MJE3055T（NPN）互补，饱和压降低、增益线性好，适用于通用放大与开关电路，如音频功率放大、串联稳压调整与电机驱动。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)	T_J (℃)
TO-220	PNP	-60	-70	-10	75	20~100	-8.0	150

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-70	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-60	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5.0	V
I_C	集电极电流（连续）	-10	A
I_B	基极电流（连续）	-6.0	A
P_C	耗散功率 @ T_C=25℃	75	W
T_J	最高结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.66	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0A	-60	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-4A；I_B=-0.4A	--	-1.1	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-10A；I_B=-3.3A	--	-8.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	V_CE=-4V；I_C=-4A	--	-1.8	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-70V；I_B=0A	--	-1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0A	--	-5.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-4A；V_CE=-4V	20	70	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-10A；V_CE=-4V	5	--	--

应用

音频功率放大器推挽输出级的 PNP 互补管。
串联稳压电源线性稳压器的调整管。
电机与继电器驱动大电流感性负载驱动。
通用开关电路低频开关与功率放大。
汽车电子车载音响与电源模块。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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