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MJE253 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(sus)）：-100V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-100V
集电极电流（I_C）：-4A（连续），脉冲 -8A
耗散功率（P_C）：15W @ T_C=25℃
高直流电流增益：h_FE=40 ~ 180 @ I_C=-200mA，V_CE=-1V
低饱和压降：V_CE(sat)=-0.3V（Max）@ I_C=-500mA
低漏电流的环形（Annular）结构
与 MJE243（NPN）互补配对
封装：TO-225（TO-126，1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

MJE253 是一款 -100V / -4A / 15W 的硅 PNP 功率三极管，采用 TO-225 塑料封装。器件具有高集电极-发射极维持电压、低饱和压降（-0.3V @ -500mA）与低漏电流的环形结构，与 NPN 型 MJE243 互补配对，适用于低功率音频放大与低电流高速开关。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-225	Single-P	-100	-100	-7	-4	-0.3	40	180	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-100	V
V_EBO	发射极-基极电压	-7	V
I_C	集电极电流（连续）	-4	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-8	A
I_B	基极电流（连续）	-1	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	15	W
T_J	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	8.33	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0A	-100	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-100V；I_E=0A	--	-0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-7V；I_C=0A	--	-0.1	µA
h_FE1	直流电流增益	I_C=-200mA；V_CE=-1V	40	180	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-1V	15	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-500mA；I_B=-50mA	--	-0.3	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-1A；I_B=-100mA	--	-0.6	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-2A；I_B=-200mA	--	-1.8	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-500mA；V_CE=-1V	--	-1.5	V

应用

低功率音频放大低功率音频放大器（Low power audio amplifiers）。
高速开关低电流、高速开关电路（High speed switching）。
互补配对与 MJE243（NPN）配对用于推挽输出级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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