MJE15031 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-150V（Min）
集电极电流（I_C）：-8A（峰值 -16A）
低饱和压降：V_CE(sat)=-0.5V（Max）@ I_C=-1A
集电极耗散功率（P_C）：50W @ T_C=25℃
特征频率（f_T）：30MHz（Min），适合高频驱动
高电流增益，线性度好
与 MJE15030（NPN）互补配对
封装：TO-220（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

MJE15031 是一款硅 PNP 功率三极管，采用 TO-220 封装，具有 -150V/-8A 的电压电流能力、0.5V 的低饱和压降与 30MHz 的特征频率，专为音频功放的高频驱动级设计，与 NPN 型 MJE15030 互补配对，适用于音频功率放大器、开关电源与工业控制等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-P	-150	-150	-5	-8	-0.5	40	--	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-150	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-150	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-8	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-16	A
I_B	基极电流（连续）	-2	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	50	W
T_J	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-150	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-150V；I_B=0	--	-0.1	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-150V；I_E=0	--	-10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-10	µA
h_FE1	直流电流增益	I_C=-0.1A；V_CE=-2V	40	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=-2A；V_CE=-2V	40	--	--
h_FE3	直流电流增益	I_C=-3A；V_CE=-2V	40	--	--
h_FE4	直流电流增益	I_C=-4A；V_CE=-2V	20	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-1A；I_B=-0.1A	--	-0.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-1A；V_CE=-2V	--	-1.0	V
f_T	特征频率	I_C=-0.5A；V_CE=-10V	30	--	MHz

应用

音频功放驱动级音频功率放大器的高频驱动级（High-frequency drivers in audio amplifiers）应用。
开关电源开关电源（Switching power supply）应用。
工业控制工业控制与线性放大（Industrial control / linear amplification）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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