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MJE15030 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：150V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：150V
集电极电流（I_C）：8A（连续），峰值 16A
基极电流（I_B）：2A
集电极耗散功率（P_C）：50W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=0.5V（Max）@ I_C=1A
h_FE 在 0.1A ~ 4A 全电流段有保证
结-壳热阻（R_th(j-c)）：2.5℃/W
封装：TO-220（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

MJE15030 是一款 150V / 8A / 50W 的 NPN 功率三极管，采用 TO-220 封装，增益带宽积高、全电流段 h_FE 有保证，适合作为音频功放的高频激励级与驱动级，与 MJE15031（PNP）互补配对。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-220	NPN	150	150	5	8	50	0.5	40 (Min)	Planar

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	150	V
V_CEO	集电极-发射极电压	150	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	8	A
I_CM	集电极电流（峰值）	16	A
I_B	基极电流（连续）	2	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	50	W
T_J	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	2.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	150	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=150V；I_B=0	--	0.1	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=150V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	10	µA
h_FE1	直流电流增益	I_C=0.1A；V_CE=2V	40	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=2V	40	--	--
h_FE3	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=2V	40	--	--
h_FE4	直流电流增益	I_C=4A；V_CE=2V	20	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=1A；I_B=0.1A	--	0.5	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=1A；V_CE=2V	--	1.0	V

应用

音频功放驱动级高频激励级与推动级，与 MJE15031 互补。
前置放大 / 线性放大中功率线性放大与缓冲。
通用功率开关中等功率开关与稳压调整。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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