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MJD5731 国产替代High Voltage PNP Power Transistor

High Voltage PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：-350V（Min）
集电极电流（I_C）：-1.0A（连续），-3.0A（峰值）
耗散功率（P_D）：15W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：30 ~ 175 @ I_C=-0.3A；≥10 @ I_C=-1A
饱和压降（V_CE(sat)）：-1.0V（Max）@ I_C=-1A
高压 PNP，为 MJD47 ~ MJD50 系列（NPN）的互补器件
结温 / 存储温度：-55 ~ 150℃
封装：DPAK（TO-252）

MJD5731 是一款 -350V / -1A / 15W 的高压 PNP 功率晶体管，为 MJD47 ~ MJD50 系列 NPN 管的互补器件。高耐压与较低的饱和压降使其适合市电供电的音频输出级、开关电源驱动级以及各类高压小电流开关电路，DPAK 贴片封装便于在紧凑布局中散热。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	I_C (A)	I_CM (A)	P_D (W)	h_FE	T_J (℃)
DPAK	PNP	-350	-1.0	-3.0	15	30~175	150

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CEO	集电极-发射极峰值电压	-350	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-1	A
I_CM	峰值脉冲电流	-3	A
P_D	总耗散功率	15	W
T_J	结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	8.33	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-30mA；I_B=0	-350	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-250V；I_B=0	--	-0.1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-0.5	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-0.3A；V_CE=-10V	30	175	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-10V	10	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-1A；I_B=-0.2A	--	-1.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-1A；V_CE=-10V	--	-1.5	V

应用

音频输出级市电供电的音频功放输出与驱动级。
开关电源驱动SMPS 中的高压侧驱动与调整管。
高压开关电路需要 -350V 耐压的小电流通断控制。
通用放大器高压小信号/功率放大级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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