MJ4035 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：100V
集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极电流（I_C）：16A（连续）
耗散功率（P_C）：150W @ T_C=25℃
高直流电流增益：h_FE≥1000 @ I_C=10A，V_CE=3V
低饱和压降：V_CE(sat)=2.5V（Max）@ I_C=10A
内置基极-发射极分流电阻的单片达林顿结构
与 MJ4032（PNP）互补配对
封装：TO-3（TO-204AA，2 端子：基极 / 发射极，外壳为集电极）

MJ4035 是一款 100V / 16A / 150W 的硅 NPN 达林顿功率三极管，采用 TO-3 金属封装。单片达林顿结构内置基极-发射极分流电阻，电流增益高达 1000 以上（@10A），可用很小的基极电流控制 16A 集电极电流，与 PNP 型 MJ4032 互补配对，适用于通用放大与通用开关电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	Structure
TO-3	Single-N	100	100	5	16	2.5	1000	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	16	A
I_B	基极电流（连续）	0.5	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_J	最大结温	200	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.17	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0A	100	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=50V；I_B=0A	--	3.0	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0A	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0A	--	5.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=10A；V_CE=3V	1000	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=40mA	--	2.5	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=16A；I_B=80mA	--	4.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=10A；V_CE=3V	--	3.0	V

应用

通用放大通用放大器输出级（General purpose amplifier）。
通用开关通用开关电路（General purpose switching）。
互补配对与 MJ4032（PNP）配对用于推挽输出。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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