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MJ4032 国产替代Silicon PNP Darlington Power Transistor

Silicon PNP Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-100V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-100V
发射极-基极电压（V_EBO）：-5V
集电极电流（I_C）：-16A（连续）
集电极耗散功率（P_C）：150W @ T_C=25℃
高直流电流增益：h_FE=1000（Min）@ I_C=-10A
集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=-2.5V（Max）@ I_C=-10A
内置集电极-发射极反并联二极管，耐感性负载反冲
封装：TO-3（1 基极 / 2 发射极 / 3 集电极）

MJ4032 是一款 -100V / -16A / 150W 的 PNP 达林顿功率三极管，采用 TO-3 金属封装，增益高、驱动功率小，内置反并联二极管，适用于通用功率开关与放大器输出级，与 MJ4035（NPN）互补配对。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-3	PNP	-100	-100	-5	-16	150	-2.5	1000 (Min)	Darlington

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压（发射极开路）	-100	V
V_CEO	集电极-发射极电压（基极开路）	-100	V
V_EBO	发射极-基极电压（集电极开路）	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-16	A
I_B	基极电流（连续）	-0.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_J	结温	200	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.17	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-100	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-50V；I_B=0	--	-3.0	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-100V；I_E=0	--	-1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-5.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=-10A；V_CE=-3V	1000	--	--
V_CE(sat)1	集电极-发射极饱和压降	I_C=-10A；I_B=-40mA	--	-2.5	V
V_CE(sat)2	集电极-发射极饱和压降	I_C=-16A；I_B=-80mA	--	-4.0	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=-10A；V_CE=-3V	--	-3.0	V

应用

通用功率开关大电流开关、继电器与电磁阀驱动。
通用放大器音频与工业放大器输出级。
稳压电源大电流串联调整管。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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