MJ2501 国产替代Silicon PNP Darlington Power Transistor

Silicon PNP Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：-80V
集电极-基极电压（V_CBO）：-80V
集电极电流（I_C）：-10A（连续）
耗散功率（P_C）：150W @ T_C=25℃
高直流电流增益：h_FE≥1000 @ I_C=-5A，V_CE=-3V
低饱和压降：V_CE(sat)=-2.0V（Max）@ I_C=-5A
内置基极-发射极分流电阻的单片达林顿结构
与 MJ3001（NPN）互补配对
封装：TO-3（TO-204AA，2 端子：基极 / 发射极，外壳为集电极）

MJ2501 是一款 -80V / -10A / 150W 的硅 PNP 达林顿功率三极管，采用 TO-3 金属封装。单片达林顿结构内置基极-发射极分流电阻，直流电流增益可达 1000 以上（典型 4000 @ -5A），可大幅降低前级驱动电流，与 NPN 型 MJ3001 互补配对，适用于功率线性放大与开关电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	Structure
TO-3	Single-P	-80	-80	-5	-10	-2.0	1000	Silicon PNP Darlington

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-80	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-10	A
I_B	基极电流（连续）	-0.2	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_J	最大结温	200	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.17	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0A	-80	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-40V；I_B=0A	--	-1.0	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-80V；I_E=0A	--	-1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0A	--	-2.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=-5A；V_CE=-3V	1000	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-20mA	--	-2.0	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-10A；I_B=-50mA	--	-4.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-5A；V_CE=-3V	--	-3.0	V

应用

功率线性放大音频与线性电源的功率输出级（Power linear）。
开关电路大电流开关与功率驱动（Switching applications）。
互补推挽与 MJ3001（NPN）配对构成互补推挽输出级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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