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MJ15022 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：200V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：350V
集电极电流（I_C）：16A（峰值 30A）
高直流电流增益：h_FE=15 ~ 60 @ I_C=8A
低饱和压降：V_CE(sat)=1.4V（Max）@ I_C=8A
集电极耗散功率（P_C）：250W @ T_C=25℃
高安全工作区（100% 测试）：2A @ 80V
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.7℃/W
与 MJ15023（PNP）互补配对
封装：TO-3（金属壳）

MJ15022 是一款硅 NPN 大功率三极管，具有 200V/16A 的电压电流能力、250W 的耗散功率与 200℃ 的高结温，安全工作区宽、增益高，与 PNP 型 MJ15023 互补配对，适用于大功率音频功放、磁盘磁头定位器及其他线性放大场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3	Single-N	350	200	5	16	1.4	15	60	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	350	V
V_CEO	集电极-发射极电压	200	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	16	A
I_CM	集电极电流（峰值）	30	A
I_B	基极电流（连续）	5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	250	W
T_J	结温	200	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.7	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	200	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=150V；I_B=0	--	500	µA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=200V；I_E=0	--	250	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	500	µA
h_FE1	直流电流增益	I_C=8A；V_CE=4V	15	60	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=16A；V_CE=4V	5	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=0.8A	--	1.4	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=16A；I_B=3.2A	--	4.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=8A；V_CE=4V	--	2.2	V

应用

大功率音频大功率音频功放（High power audio）应用。
磁头定位器磁盘磁头定位器驱动（Disk head positioners）应用。
线性放大其他线性放大与稳压应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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