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MJ11016 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：120V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：120V
集电极电流（I_C）：30A（连续）
集电极耗散功率（P_C）：200W @ T_C=25℃
高直流电流增益：h_FE=1000（Min）@ I_C=20A
集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=3.0V（Max）@ I_C=20A
单体达林顿结构，内置基极-发射极分流电阻
结温可达 200℃，适合大功率线性输出
封装：TO-3（TO-204AA，外壳=集电极）

MJ11016 是一款 120V / 30A / 200W 的 NPN 达林顿功率三极管，采用 TO-3 金属封装，h_FE 高达 1000 以上，驱动电流小、输出电流大，适用于音频功放输出级、稳压电源与大电流开关等场合，与 MJ11015（PNP）互补配对。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-3	NPN Darlington	120	120	5	30	200	3.0	1000 (Min)	Darlington

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	120	V
V_CEO	集电极-发射极电压	120	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	30	A
I_B	基极电流（连续）	1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	200	W
T_J	最大结温	-55 ~ 200	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.87	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	120	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=50V；I_B=0	--	1.0	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=120V；I_E=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	5.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=20A；V_CE=5V	1000	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=30A；V_CE=5V	200	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=20A；I_B=200mA	--	3.0	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=30A；I_B=300mA	--	4.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=20A；I_B=200mA	--	3.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=30A；I_B=300mA	--	5.0	V

应用

音频功放输出级大功率音频放大器末级，与 MJ11015 组成互补推挽。
线性稳压电源大电流串联调整管，驱动电流小、增益高。
通用大电流开关继电器、电磁阀、电机等大电流负载驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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