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KTC3503 国产替代Silicon NPN Transistor

Silicon NPN Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

高击穿电压：V_CEO=300V
集电极电流（I_C）：100mA（脉冲 200mA）
集电极耗散功率（P_C）：1.5W @ T_a=25℃（7W @ T_C=25℃）
反向传输电容小：C_re=1.8pF（V_CB=30V，f=1MHz）
高频特性优异：f_T=150MHz（典型）
与 KTA1381（PNP）互补配对
封装：TO-126（1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

KTC3503 是一款硅 NPN 三重扩散高反压三极管，具有 300V 的击穿电压、较小的反向传输电容与优异的高频特性，与 PNP 型 KTA1381 互补配对，适用于高清显示器视频输出及家电、音响等应用。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-N	300	300	5	0.1	0.6	60	200	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	300	V
V_CEO	集电极-发射极电压	300	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（直流）	100	mA
I_CP	集电极电流（脉冲）	200	mA
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	1.5	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	7	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BVCBO	集电极-基极击穿电压	I_C=10µA；I_E=0	300	--	V
BVCEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=1mA；I_B=0	300	--	V
BVEBO	发射极-基极击穿电压	I_E=10µA；I_C=0	5	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=200V；I_E=0	--	0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V；I_C=0	--	0.1	µA
h_FE	直流电流增益	V_CE=10V；I_C=10mA	60	200	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=20mA；I_B=2mA	--	0.6	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=20mA；I_B=2mA	--	1.0	V

h_FE 分档

档位	O	Y
h_FE 范围	60-120	100-200

应用

高清显示视频输出高清 CRT 显示器视频输出（Video output）应用。
家电与音响家电与音响系统（Home appliance and audio system）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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