KSH127 国产替代PNP Silicon Darlington Transistor

PNP Silicon Darlington Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：-100V（维持电压 -100V Min）
集电极电流（I_C）：-8A（脉冲 -16A）
高直流电流增益：h_FE=1000 ~ 12000 @ I_C=-4A
集电极耗散功率（P_C）：20W @ T_C=25℃；1.75W @ T_a=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=-2.0V（Max）@ I_C=-4A
发射极-集电极内置阻尼二极管
结-壳热阻（R_θJC）：6.25℃/W
电气特性与 TIP127 相近，与 KSH122 互补
封装：D-PAK（TO-252，表面贴装；1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

KSH127 是一款 PNP 硅达林顿功率三极管，采用 D-PAK 表面贴装封装，具有 -100V/-8A 的电压电流能力与 1000 倍以上的直流电流增益，内部集成发射极-集电极阻尼二极管，电气特性与通行的 TIP127 相近，适用于继电器/LED 驱动、电机控制与线性放大等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
D-PAK	Single-P	-100	-100	-5	-8	-2.0	1000	12000	Silicon PNP Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-100	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-8	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	-16	A
I_B	基极电流	-120	mA
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	20	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	1.75	W
T_j	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_θJC	结-壳热阻	6.25	℃/W
R_θJA	结-环境热阻	71.4	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=-30mA；I_B=0	-100	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-50V；I_B=0	--	-10	µA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-100V；I_E=0	--	-10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-2	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=-4A；V_CE=-4V	1000	12000	--
h_FE	直流电流增益	I_C=-8A；V_CE=-4V	100	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-4A；I_B=-16mA	--	-2.0	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-8A；I_B=-80mA	--	-4.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-8A；I_B=-80mA	--	-4.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-4A；V_CE=-4V	--	-2.8	V

应用

继电器/LED 驱动高增益开关驱动，替代分立达林顿组合。
电机控制小型直流电机与步进电机驱动。
线性放大音频与一般线性放大。
电源管理串联稳压与电源调整。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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