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BUX84F 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极峰值电压（V_CES）：800V
集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：400V（Min）
集电极电流（I_C）：2A（峰值 3A）
低饱和压降：V_CE(sat)=0.8V（Max）@ I_C=0.3A
集电极耗散功率（P_tot）：18W @ T_h≤25℃（全绝缘封装）
结-散热器热阻（R_{th j-h}）：7.2K/W
玻璃钝化、高耐压高速开关
封装：SOT186（ISOWATT220，安装底板与各引脚电气隔离）

BUX84F 是一款硅 NPN 高压高速开关功率三极管，采用 SOT186（ISOWATT220）全绝缘封装，具有 800V 的集电极-发射极峰值电压与 2A 的电流能力，安装底板与引脚电气隔离，适用于变换器、逆变器、开关稳压器与电机控制等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CES (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	P_tot (W)	Structure
SOT186（ISOWATT220）	Single-N	800	400	10	2	1.0	30	18	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CES	集电极-发射极峰值电压（V_BE=0）	800	V
V_CEO	集电极-发射极电压	400	V
V_EBO	发射极-基极电压	10	V
I_C	集电极电流（连续）	2	A
I_CM	集电极电流（峰值）	3	A
I_B	基极电流（连续）	0.75	A
I_BM	基极电流（峰值）	1	A
P_tot	总耗散功率 @ T_h≤25℃	18	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-h}	结-散热器热阻	7.2	K/W
R_{th j-a}	结-环境热阻	55	K/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA；I_B=0	400	--	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=0.3A；I_B=30mA	--	0.8	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=1.0A；I_B=0.2A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=1.0A；I_B=0.2A	--	1.1	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=450V；I_B=0	--	0.2	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=0.1A；V_CE=5V	30	--	--

应用

变换器 / 逆变器直流变换器与逆变器（Converters / Inverters）应用。
开关稳压器开关稳压器（Switching regulators）应用。
电机控制电机控制系统（Motor control systems）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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