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BUW13A 国产替代NPN Silicon Power Transistor

NPN Silicon Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：450V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：1000V
集电极电流（I_C）：15A（峰值 30A）
集电极耗散功率（P_C）：175W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=1.5V（Max）@ I_C=8A
开关速度快：t_on 1.0µs / t_s 4.0µs / t_f 0.8µs
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.7℃/W
封装：SOT-93（TO-3PN，1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

BUW13A 是一款硅 NPN 高压高速开关功率三极管，具有 450V 的集电极-发射极耐压、15A 的电流能力与 175W 的耗散功率，饱和压降低、开关速度快，适用于开关稳压器、逆变器、变换器与电机控制等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
SOT-93	Single-N	1000	450	9	15	1.5	10	35	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	1000	V
V_CEO	集电极-发射极电压	450	V
V_EBO	发射极-基极电压	9	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_CM	集电极电流（峰值）	30	A
I_B	基极电流（连续）	6	A
I_BM	基极电流（峰值）	9	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	175	W
T_j	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.7	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA；I_B=0A	450	--	V
I_CES	集电极截止电流	V_CE=450V；V_BE=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=9V；I_C=0A	--	10	mA
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=1.6A	--	1.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=1.6A	--	1.6	V
h_FE-1	直流电流增益	I_C=20mA；V_CE=5V	10	35	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=1.5A；V_CE=5V	10	35	--

应用

开关稳压器开关稳压器（Switching regulators）。
逆变器/变换器PWM 逆变器与高频高效变换器。
电机控制电机驱动与调速控制。
螺线管/继电器驱动电磁阀、继电器与点火驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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