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BUV48A 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEX）：1000V（V_BE=-1.5V）
集电极-发射极维持电压（V_CEO）：450V
集电极电流（I_C）：15A（峰值 30A）
低饱和压降：V_CE(sat)=1.5V（Max）@ I_C=8A，I_B=1.6A
集电极耗散功率（P_C）：150W @ T_C=25℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.0℃/W
高耐压、快速开关，适用于开关电源与逆变器
封装：TO-247（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

BUV48A 是一款硅 NPN 高压快速开关功率三极管，采用多外延台面工艺与 TO-247 封装，具有 1000V 的集电极-发射极耐压、15A 的电流能力与快速开关特性，适用于开关电源、单管反激/正激变换器及单相/三相市电的工业开关场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CEX (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	P_C (W)	Structure
TO-247	Single-N	1000	450	7	15	1.5	8	150	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CEX	集电极-发射极电压（V_BE=-1.5V）	1000	V
V_CEO	集电极-发射极电压	450	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_CM	集电极电流（峰值）	30	A
I_B	基极电流（连续）	5	A
I_BM	基极电流（峰值）	20	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=30mA；I_B=0	450	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=10mA；I_C=0	7	--	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=1.6A	--	1.5	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=12A；I_B=2.4A	--	5.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=1.6A	--	1.6	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=450V；I_B=0	--	0.5	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=850V；I_E=0	--	0.2	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	0.1	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=8A；V_CE=5V	8	--	--

应用

开关电源开关电源（Switching mode power supplies）应用。
单管变换器反激/正激单管低功率变换器（Flyback and forward converters）应用。
逆变器逆变与电机驱动电路应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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