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BU931P 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor | 品牌:ISC(无锡固电半导体股份有限公司)| www.iscsemi.com

描述 参数 应用 技术支持

描述

产品简介

BU931P 是一款 400V / 15A / 135W 的 NPN 达林顿功率三极管,采用 TO-247 封装,内置 C-E 续流二极管、钳位电压高、结温可达 175℃,专为高耐量汽车电子点火线圈驱动设计,也可用于其他感性负载的功率驱动。

参数

核心参数表

PackageConfigurationVCBO (V)VCEO (V)VEBO (V)IC (A)PC (W)VCE(sat) (V)hFEStructure
TO-247Single-N Darlington5004005151351.8300Silicon NPN 达林顿

绝对最大额定值(Ta=25℃)

符号参数数值单位
VCBO集电极-基极电压500V
VCEO集电极-发射极电压400V
VEBO发射极-基极电压5V
IC集电极电流(连续)15A
ICM集电极电流(峰值)30A
IB基极电流(连续)1A
IBM基极电流(峰值)5A
PC集电极耗散功率 @ TC=25℃135W
Tj结温175℃
Tstg存储温度范围-65 ~ 175℃

热特性

符号参数数值单位
Rth(j-c)结-壳热阻1.11℃/W

电气特性(TC=25℃,另有说明除外)

符号参数测试条件最小最大单位
VCEO(SUS)集电极-发射极维持电压IC=10mA;IB=0400--V
ICEO集电极截止电流VCE=450V;IB=0--0.1mA
IEBO发射极截止电流VEB=5V;IC=0--20mA
hFE直流电流增益IC=5A;VCE=10V300----
VCE(sat)-1集电极-发射极饱和压降IC=7A;IB=70mA--1.6V
VCE(sat)-2集电极-发射极饱和压降IC=8A;IB=100mA--1.8V
VCE(sat)-3集电极-发射极饱和压降IC=10A;IB=250mA--1.8V
VBE(sat)-1基极-发射极饱和压降IC=7A;IB=70mA--2.2V
VBE(sat)-2基极-发射极饱和压降IC=8A;IB=100mA--2.4V
VBE(sat)-3基极-发射极饱和压降IC=10A;IB=250mA--2.5V
VECFC-E 二极管正向压降IF=10A--2.5V

应用

  1. 汽车电子点火高耐量电子点火线圈驱动(点火执行器)。
  2. 感性负载驱动继电器、电磁阀等感性负载的功率驱动。
  3. 开关电路高压大电流开关与功率放大。

注:以上应用场景基于数据手册整理,具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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