BU806FI 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：400V
集电极-发射极电压（V_CEV）：400V（V_BE=-6V）
集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：200V（Min）
集电极电流（I_C）：8A（峰值 15A）
低饱和压降：V_CE(sat)=1.5V（Max）@ I_C=5A
高直流电流增益：h_FE=1000（Min）@ I_C=5A
集电极耗散功率（P_C）：30W @ T_C=25℃（全绝缘封装）
结-壳热阻（R_{th j-c}）：4.16℃/W
封装：ISOWATT220（全绝缘，无需绝缘垫片）

BU806FI 是一款硅 NPN 达林顿功率三极管，内置基极-发射极加速二极管，采用 ISOWATT220 全绝缘封装，具有 400V/200V 的耐压、8A 的电流能力与 h_FE≥1000 的高电流增益，适用于 110° CRT 视频显示器的行输出级等高压快速开关场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	P_C (W)	Structure
ISOWATT220	Single-N（Darlington）	400	200	6	8	1.5	1000	30	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	400	V
V_CEV	集电极-发射极电压（V_BE=-6V）	400	V
V_CEO	集电极-发射极电压	200	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	8	A
I_CM	集电极电流（峰值）	15	A
I_B	基极电流（连续）	2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	30	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	4.16	℃/W
R_{th j-a}	结-环境热阻	70	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	200	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	400	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=3mA；I_C=0	6	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=50mA	--	1.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=50mA	--	2.4	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=400V；I_E=0	--	0.1	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=200V；I_B=0	--	0.5	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=6V；I_C=0	--	3	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=5V	1000	--	--

应用

CRT 行输出110° CRT 视频显示器行输出级（Horizontal output stages）应用。
高压快速开关高压快速开关与逆变电路应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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