NPN High Voltage Power Transistor | 品牌:ISC(无锡固电半导体股份有限公司)| www.iscsemi.com
BU426A 是一款 400V / 6A / 70W 的高压 NPN 开关功率晶体管,集电极-基极耐压 900V。器件为三重扩散平面结构,开关速度快、抗雪崩能力强,主要用于开关型彩色电视机电源、离线式开关电源与高压电子镇流器。
| Package | Polarity | VCEO(SUS) (V) | VCBO/VCES (V) | IC (A) | ICM (A) | PC (W) | hFE | Tj (℃) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SOT-93 | NPN | 400 | 900 | 6 | 10 | 70 | 15~60 | 150 |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCBO | 集电极-基极电压 | 900 | V |
| VCES | 集电极-发射极电压(VBE=0) | 900 | V |
| VCEO | 集电极-发射极电压 | 400 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压 | 10 | V |
| IC | 集电极电流(连续) | 6 | A |
| ICM | 集电极电流(峰值) | 10 | A |
| IB | 基极电流(连续) | 2 | A |
| IBM | 基极电流(峰值) | 3 | A |
| PC | 耗散功率 @ TC=25℃ | 70 | W |
| TJ | 结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度范围 | -65 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth(j-c) | 结-壳热阻 | 1.1 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VCEO(SUS) | 集电极-发射极维持电压 | IC=0.1A;IB=0;L=25mH | 400 | -- | V |
| VCE(sat)-1 | 集电极-发射极饱和压降 | IC=2.5A;IB=0.5A | -- | 1.5 | V |
| VCE(sat)-2 | 集电极-发射极饱和压降 | IC=4A;IB=1.25A | -- | 3.0 | V |
| VBE(sat)-1 | 基极-发射极饱和压降 | IC=2.5A;IB=0.5A | -- | 1.4 | V |
| VBE(sat)-2 | 基极-发射极饱和压降 | IC=4A;IB=1.25A | -- | 1.6 | V |
| ICES | 集电极截止电流 | VCE=900V;VBE=0 | -- | 1.0 | mA |
| ICES | 集电极截止电流 | VCE=900V;VBE=0;TJ=125℃ | -- | 2.0 | mA |
| IEBO | 发射极截止电流 | VEB=10V;IC=0 | -- | 10 | mA |
| hFE | 直流电流增益 | IC=0.6A;VCE=5V | 15 | 60 | -- |
| ton | 导通时间 | IC=2.5A;IB1=0.5A;IB2=-1A;VCC=250V | -- | 0.6 | μs |
| tstg | 存储时间 | IC=2.5A;IB1=0.5A;IB2=-1A;VCC=250V | -- | 3.5 | μs |
| tf | 下降时间 | IC=2.5A;IB1=0.5A;IB2=-1A;VCC=250V | -- | 0.15 | μs |
注:以上应用场景基于数据手册整理,具体选型请以实际应用为准。
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