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BU208A 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEX）：1500V（Min）
集电极-发射极维持电压（V_CEO）：700V
集电极电流（I_C）：8A（峰值 15A）
低饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=4.5A
集电极耗散功率（P_C）：150W @ T_C=25℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.0℃/W
高耐压、快速开关，适用于彩色电视行偏转输出
封装：TO-3（金属壳，C=外壳 / E=引脚2）

BU208A 是一款硅 NPN 高压快速开关功率三极管，具有 1500V 的集电极-发射极耐压与 8A 的电流能力，采用多外延台面工艺与空心发射极结构以提升开关速度，适用于彩色电视机行偏转输出及高压脉冲开关等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CEX (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	P_C (W)	Structure
TO-3	Single-N	1500	700	5	8	1.0	8	150	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CEX	集电极-发射极电压	1500	V
V_CEO	集电极-发射极电压	700	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	8	A
I_CM	集电极电流（峰值）	15	A
I_B	基极电流（连续）	2.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=50mA；I_B=0	700	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=4.5A；I_B=2A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=4.5A；I_B=2A	--	1.3	V
I_CES	集电极截止电流	V_CE=1500V；V_BE=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	0.1	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	8	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=4.5A；V_CE=5V	2.25	--	--
t_f	下降时间	I_C=4.5A；I_B=1.8A；L_B=10µH	--	1.0	µs

应用

彩电行偏转输出彩色电视机行偏转输出（Horizontal deflection for colour TV）应用。
高压脉冲开关高压快速开关与逆变电路应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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