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BFU520A 国产替代NPN Wideband Silicon RF Transistor

NPN Wideband Silicon RF Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CB）：30V（极限）；推荐工作 24V
集电极-发射极电压（V_CE）：16V（极限）；推荐工作 12V
集电极电流（I_C）：50mA（极限）；推荐工作 30mA
总耗散功率（P_tot）：450mW @ T_sp ≤ 87℃
直流电流增益（h_FE）：60 ~ 200 @ I_C=5mA
特征频率（f_T）：10GHz（Typ）
最小噪声系数（NF_min）：0.7dB @ 900MHz；最大稳定增益 18dB
封装：SOT-23

BFU520A 是一款 NPN 宽带硅射频晶体管，采用 SOT-23 塑封三引脚封装，属于 BFU5 系列，适用于 2GHz 以下的小信号至中等功率应用。器件具有低噪声与高击穿电压的特点，通过 AEC-Q101 认证，常用于宽带放大器、ISM 频段低噪声放大器与振荡器。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CB (V)	V_CE (V)	I_C (mA)	P_tot (mW)	h_FE	f_T (GHz)	T_j (℃)
SOT-23	NPN	30	16	50	450	60~200	10	150

绝对最大额定值（T_amb=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CB	集电极-基极电压（发射极开路）	30	V
V_CE	集电极-发射极电压（基极开路）	16	V
V_CE	集电极-发射极电压（基极短路）	30	V
V_EB	发射极-基极电压（集电极开路）	3	V
I_C	集电极电流	50	mA
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃
V_ESD	静电放电电压（HBM / CDM）	±150 / ±2000	V

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-sp)	结-焊点热阻	140	K/W

推荐工作条件（T_amb=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CB	集电极-基极电压（发射极开路）	24	V
V_CE	集电极-发射极电压（基极开路 / 基极短路）	12 / 24	V
V_EB	发射极-基极电压（集电极开路）	2	V
I_C	集电极电流	30	mA
P_i	输入功率（Z_S=50Ω）	10	dBm
P_tot	总耗散功率 @ T_sp ≤ 87℃	450	mW
T_j	结温	-40 ~ 150	℃

电气特性（T_amb=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=100nA；I_E=0	24	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=150nA；I_B=0	12	--	V
I_CBO	集电极-基极截止电流	V_CB=8V；I_E=0	--	1	nA
h_FE	直流电流增益	I_C=5mA；V_CE=8V	60	200	--
C_c	集电极电容	V_CB=8V；f=1MHz	--	0.54	pF
C_re	反馈电容	V_CE=8V；f=1MHz	--	0.35	pF
C_e	发射极电容	V_EB=0.5V；f=1MHz	--	0.64	pF
f_T	特征频率	I_C=10mA；V_CE=8V；f=900MHz	--	10	GHz

应用

宽带放大器2GHz 以下的宽带小信号放大。
ISM 频段 LNA433 / 866MHz 等 ISM 频段低噪声前端。
射频振荡器ISM 频段本振与信号源。
高反压射频电路需要较高供电与击穿电压的射频级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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