当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

BDY90 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：120V
集电极-发射极电压（V_CEO）：100V
集电极-发射极电压（V_CEV）：120V @ V_BE=-1.5V
集电极电流（I_C）：10A（连续），峰值 15A
集电极耗散功率（P_C）：60W @ T_C≤25℃
直流电流增益：h_FE=30~120 @ I_C=5A
集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=0.5V（Max）@ I_C=5A
开关速度快：t_on=0.35μs，t_f=0.2μs
封装：TO-3（1 基极 / 2 发射极 / 3 集电极）

BDY90 是一款 100V / 10A / 60W 的 NPN 功率三极管，采用 TO-3 金属封装，饱和压降低、开关速度快、安全工作区宽，适用于开关电源、变换器、逆变器与工业线性放大等场合。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-3	NPN	120	100	6	10	60	0.5	30 ~ 120	Planar

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压（发射极开路）	120	V
V_CEV	集电极-发射极电压（V_BE=-1.5V）	120	V
V_CEO	集电极-发射极电压（基极开路）	100	V
V_EBO	发射极-基极电压（集电极开路）	6	V
I_C	集电极电流（连续）	10	A
I_CM	集电极电流（峰值，重复）	15	A
I_B	基极电流（连续）	2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C≤25℃	60	W
T_J	结温	175	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 175	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	2.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=100mA；I_B=0	100	--	V
V_CE(sat)1	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=0.5A	--	0.5	V
V_CE(sat)2	集电极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=1A	--	1.5	V
V_BE(sat)1	基极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=0.5A	--	1.2	V
V_BE(sat)2	基极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=1A	--	1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=120V；I_E=0	--	1.0	mA
I_CEV	集电极截止电流	V_CE=120V；V_BE=-1.5V	--	1.0	mA
I_CEV	集电极截止电流	V_CE=120V；V_BE=-1.5V；T_C=150℃	--	3.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=6V；I_C=0	--	1.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=2V	30	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=5V	30	120	--
h_FE3	直流电流增益	I_C=10A；V_CE=5V	20	--	--
f_T	特征频率	I_C=0.5A；V_CE=5V	70	--	MHz

应用

开关电源主开关管、脉冲变压器驱动级。
变换器 / 逆变器DC-DC 变换与逆变功率级。
工业线性放大伺服、稳压等线性功率放大。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号