当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

BDX67 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：80V
集电极-发射极电压（V_CEO）：60V
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：16A（连续），峰值 20A
基极电流（I_B）：0.25A（连续）
集电极耗散功率（P_C）：150W @ T_C=25℃
高直流电流增益：h_FE=1000（Min）@ I_C=10A
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：2.0V（Max）@ I_C=10A
内置 C-E 续流二极管，反向关断耐量大
与 BDX66（PNP）互补配对
封装：TO-3（1 基极 / 2 发射极 / 3 集电极）

BDX67 是一款 60V / 16A / 150W 的 NPN 达林顿功率三极管，采用 TO-3 封装，直流电流增益高达 1000 以上、饱和压降低，与 BDX66（PNP）互补配对，适用于音频输出级、通用放大与开关电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-3	Single-N Darlington	80	60	5	16	150	2.0	1000	Silicon NPN 达林顿

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	60	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	16	A
I_CM	集电极电流（峰值）	20	A
I_B	基极电流（连续）	0.25	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_J	结温	200	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.17	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=100mA；I_B=0；L=25mH	60	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=40mA	--	2.0	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=10A；V_CE=3V	--	2.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=80V；I_E=0	--	1.0	mA
I_CBO	集电极截止电流（高温）	V_CB=80V；I_E=0；T_C=150℃	--	5.0	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=30V；I_B=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	5.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=10A；V_CE=3V	1000	--	--
V_ECF	C-E 二极管正向压降	I_F=10A	--	2.5	V
C_ob	输出电容	V_CB=10V；I_E=0；f=1MHz	--	300	pF

应用

音频输出级音频功放输出级与驱动级。
通用放大大电流线性放大电路。
开关应用功率开关与继电器驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号