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BDX66C 国产替代PNP Darlington Power Transistor

PNP Darlington Power Transistor | 品牌:ISC(无锡固电半导体股份有限公司)| www.iscsemi.com

描述 参数 应用 技术支持

描述

产品简介

BDX66C 是一款 -120V / -16A / 150W 的 PNP 达林顿功率三极管(C 档),hFE 最小 1000,饱和压降低,适合音频功放输出级与大电流开关场合。与 BDX67C(NPN)组成互补对管。

参数

核心参数表

PackageConfigurationVCBO (V)VCEO (V)VEBO (V)IC (A)VCE(sat) (V)hFE MinhFE MaxStructure
TO-3PNP Darlington-140-120-5-16-2.01000—达林顿

绝对最大额定值(Ta=25℃)

符号参数数值单位
VCBO集电极-基极电压-140V
VCEO集电极-发射极电压-120V
VEBO发射极-基极电压-5V
IC集电极电流(连续)-16A
ICM集电极电流(脉冲)-20A
IB基极电流(连续)-0.25A
PC集电极耗散功率(TC=25℃)150W
TJ结温200℃
Tstg存储温度范围-55 ~ 200℃

热特性

符号参数数值单位
Rth(j-c)结到壳热阻1.17℃/W

电气特性(TC=25℃,另有说明除外)

符号参数测试条件最小最大单位
V(BR)CEO集电极-发射极击穿电压IC=-30mA;IB=0-120--V
ICEO集电极截止电流VCE=-60V;IB=0---1.0mA
ICBO集电极截止电流VCB=-140V;IE=0---1.0mA
ICBO集电极截止电流(高温)VCB=-70V;IE=0;TJ=150℃---5.0mA
IEBO发射极截止电流VEB=-5V;IC=0---5.0mA
hFE-1直流电流增益IC=-1A;VCE=-3V--2000--
hFE-2直流电流增益IC=-10A;VCE=-3V1000----
hFE-3直流电流增益IC=-16A;VCE=-3V--1000--
VCE(sat)集电极-发射极饱和压降IC=-10A;IB=-40mA---2.0V
VBE(on)基极-发射极导通电压IC=-10A;VCE=-3V---2.5V

应用

  1. 音频功放输出级用于大功率音频放大器的输出级。
  2. 功率放大与开关用于工业功放、电源开关等大电流场合。
  3. 电机与继电器驱动高 hFE 便于用较小基极电流控制大负载。

注:以上应用场景基于数据手册整理,具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司:无锡固电半导体股份有限公司(ISC)

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