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BDX53C 国产替代NPN Darlington Power Transistor

NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极-发射极电压（V_CEO）：100V
集电极电流（I_C）：8A（连续），脉冲 12A
耗散功率（P_C）：60W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：750（Min）@ I_C=3A
饱和压降（V_CE(sat)）：2.0V（Max）@ I_C=3A
内置基极-发射极分流电阻的达林顿结构
与 BDX54C 互补，封装：TO-220C

BDX53C 是一款 100V / 8A / 60W 的 NPN 达林顿功率三极管，h_FE 最小 750，可用较小基极电流驱动大电流负载，适合锤击驱动、音频功放、功率线性放大与开关应用。与 BDX54C（PNP）组成互补对管。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	NPN Darlington	100	100	5	8	2.0	750	—	达林顿

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（直流）	8	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	12	A
I_B	基极电流（连续）	0.2	A
P_C	集电极耗散功率（T_C=25℃）	60	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	2.08	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=100mA；I_B=0	100	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	200	µA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=50V；I_B=0	--	500	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	2.0	mA
h_FE	直流电流增益	V_CE=3V；I_C=3A	750	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=12mA	--	2.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=12mA	--	2.5	V

应用

锤击驱动用于打印机打印头等脉冲大电流负载驱动。
音频功率放大用于音频功放的输出级。
功率线性放大与开关用于串联稳压、继电器与电磁阀驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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