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BDX37 国产替代Silicon NPN Switching Transistor

Silicon NPN Switching Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：120V
集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：75V（Min）
集电极电流（I_C）：5A（峰值 10A）
低饱和压降：V_CE(sat)=0.9V（Max）@ I_C=5A，I_B=0.5A
耗散功率（P_C）：15W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：45 ~ 450 @ I_C=0.5A
峰值基极电流（I_BM）：2A
封装：TO-126

BDX37 是一款硅 NPN 开关三极管，采用 TO-126 封装，具有 75V/5A 的电压电流能力与 15W 的耗散功率，饱和压降低、开关速度快、增益范围宽，适用于功率电路中的大电流开关、驱动级与通用放大等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-N	120	75	7	5	0.9	45	450	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	120	V
V_CEO	集电极-发射极电压	75	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	5	A
I_CM	集电极电流（峰值）	10	A
I_BM	基极电流（峰值）	2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	15	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	75	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	0.1	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=0.5A；V_CE=10V	45	450	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=0.5A	--	0.9	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=7A；I_B=0.7A	--	1.2	V
V_BE(sat)-1	基极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=0.5A	--	1.7	V
V_BE(sat)-2	基极-发射极饱和压降	I_C=7A；I_B=0.7A	--	2.0	V

应用

大电流开关功率电路中的大电流开关（High-current switching in power applications）应用。
驱动级驱动级与功率放大（Driver / power amplifier）应用。
通用开关通用中功率开关（General purpose switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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