Silicon PNP Darlington Power Transistor | 品牌:ISC(无锡固电半导体股份有限公司)| www.iscsemi.com
BDW94C 是一款 -100V / -12A / 80W 的 PNP 达林顿功率三极管,采用 TO-220C 封装,直流电流增益极高(最小 1000)、驱动电流小,与 BDW93C(NPN)互补配对,适用于 AC-DC 电机控制、电子点火与交流发电机调节器等场合。
| Package | Configuration | VCBO (V) | VCEO (V) | VEBO (V) | IC (A) | PC (W) | VCE(sat) (V) | hFE | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-220C | Single-P Darlington | 100 | 100 | 5 | 12 | 80 | 3.0 | 1000 ~ 20000 | Silicon PNP 达林顿 |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCBO | 集电极-基极电压 | -100 | V |
| VCEO | 集电极-发射极电压 | -100 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压 | -5 | V |
| IC | 集电极电流(连续) | -12 | A |
| ICM | 集电极电流(峰值) | -15 | A |
| IB | 基极电流(连续) | -0.2 | A |
| PC | 集电极耗散功率 @ TC=25℃ | 80 | W |
| Tj | 结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度范围 | -65 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth(j-c) | 结-壳热阻 | 1.56 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VCEO(SUS) | 集电极-发射极维持电压 | IC=-30mA;IB=0 | -100 | -- | V |
| ICBO | 集电极截止电流 | VCB=-100V;IE=0 | -- | -100 | µA |
| ICEO | 集电极截止电流 | VCE=-100V;IB=0 | -- | -1.0 | mA |
| IEBO | 发射极截止电流 | VEB=-5V;IC=0 | -- | -2.0 | mA |
| hFE-1 | 直流电流增益 | IC=-3A;VCE=-3V | 1000 | 20000 | -- |
| hFE-2 | 直流电流增益 | IC=-5A;VCE=-3V | 750 | 20000 | -- |
| hFE-3 | 直流电流增益 | IC=-10A;VCE=-3V | 100 | 20000 | -- |
| VCE(sat)-1 | 集电极-发射极饱和压降 | IC=-5A;IB=-20mA | -- | -2.0 | V |
| VCE(sat)-2 | 集电极-发射极饱和压降 | IC=-10A;IB=-100mA | -- | -3.0 | V |
| VBE(sat)-1 | 基极-发射极饱和压降 | IC=-5A;IB=-20mA | -- | -2.5 | V |
| VBE(sat)-2 | 基极-发射极饱和压降 | IC=-10A;IB=-100mA | -- | -4.0 | V |
注:以上应用场景基于数据手册整理,具体选型请以实际应用为准。
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