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BDV65C 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：120V
集电极-发射极电压（V_CEO）：120V
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：12A（连续），峰值 20A
集电极耗散功率（P_C）：125W @ T_C=25℃
高直流电流增益：h_FE=1000（Min）@ I_C=5A
集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=2.0V（Max）@ I_C=5A
内置基极-发射极分流电阻，可直接由逻辑电路驱动
封装：TO-3PN（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

BDV65C 是一款 120V / 12A / 125W 的 NPN 达林顿功率三极管，采用 TO-3PN 封装，电流增益高达 1000 以上，驱动功率小，适用于音频输出级、通用放大与开关电路，与 BDV64C（PNP）互补配对。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-3PN	NPN	120	120	5	12	125	2.0	1000 (Min)	Darlington

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压（发射极开路）	120	V
V_CEO	集电极-发射极电压（基极开路）	120	V
V_EBO	发射极-基极电压（集电极开路）	5	V
I_C	集电极电流（连续）	12	A
I_CM	集电极电流（峰值）	20	A
I_B	基极电流（连续）	0.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	125	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=30mA；I_B=0	120	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=60V（½V_CEO）；I_B=0	--	2.0	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=120V；I_E=0	--	0.4	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=70V；I_E=0；T_J=150℃	--	2.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	5.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=4V	1000	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=20mA	--	2.0	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=5A；V_CE=4V	--	2.5	V

应用

音频输出级功放输出管，与 BDV64C 组成互补推挽。
通用放大器仪器、工业放大电路输出级。
模拟开关大电流模拟开关与驱动器。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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