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BDT65C 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：120V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：120V
集电极电流（I_C）：12A（峰值 20A）
高直流电流增益：h_FE=1000（Min）@ I_C=5A
低饱和压降：V_CE(sat)=2.0V（Max）@ I_C=5A
集电极耗散功率（P_C）：125W @ T_C=25℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1℃/W
与 BDT64C（PNP）互补配对
封装：TO-220（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

BDT65C 是一款硅 NPN 达林顿功率三极管，具有 120V/12A 的电压电流能力与 h_FE≥1000 的高电流增益，饱和压降低，与 PNP 型 BDT64C 互补配对，适用于音频输出级与通用放大、开关等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-N（Darlington）	120	120	5	12	2.0	1000	--	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	120	V
V_CEO	集电极-发射极电压	120	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	12	A
I_CM	集电极电流（峰值）	20	A
I_B	基极电流（连续）	0.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	125	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=30mA；I_B=0	120	--	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=20mA	--	2.0	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=100mA	--	3.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=5A；V_CE=4V	--	2.5	V
V_ECF-1	C-E 二极管正向压降	I_F=5A	--	2.0	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=60V；I_B=0	--	0.2	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=120V；I_E=0	--	0.4	mA
I_CBO	集电极截止电流（高温）	V_CB=60V；I_E=0；T_C=150℃	--	2.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	5	mA
h_FE-2	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=4V	1000	--	--

应用

音频输出级音频输出级（Audio output stages）应用。
通用放大通用放大（General purpose amplifiers）应用。
模拟开关模拟开关（Analogue switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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