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BD902 国产替代Silicon PNP Darlington Power Transistor

Silicon PNP Darlington Power Transistor | 品牌:ISC(无锡固电半导体股份有限公司)| www.iscsemi.com

描述 参数 应用 技术支持

描述

产品简介

BD902 是一款 -100V / -8A / 70W 的 PNP 达林顿功率三极管,采用 TO-220C 封装,电流增益高达 750 以上,驱动电流极小,适用于音频推挽输出级与通用大电流开关,与 BD901(NPN)互补配对。

参数

核心参数表

PackageConfigurationVCBO (V)VCEO (V)VEBO (V)IC (A)PC (W)VCE(sat) (V)hFEStructure
TO-220CPNP-100-100-5-870-2.5750 (Min)Darlington

绝对最大额定值(TC=25℃)

符号参数数值单位
VCBO集电极-基极电压(发射极开路)-100V
VCEO集电极-发射极电压(基极开路)-100V
VEBO发射极-基极电压(集电极开路)-5V
IC集电极电流(连续)-8A
IB基极电流(连续)-0.3A
PC集电极耗散功率 @ TC=25℃70W
PC集电极耗散功率 @ Ta=25℃2W
TJ结温-65 ~ 150℃
Tstg存储温度范围-65 ~ 150℃

热特性

符号参数数值单位
Rth(j-c)结-壳热阻1.79℃/W
Rth(j-a)结-环境热阻62.5℃/W

电气特性(TC=25℃,另有说明除外)

符号参数测试条件最小最大单位
V(BR)CEO集电极-发射极击穿电压IC=-100mA;IB=0-100--V
VCE(sat)集电极-发射极饱和压降IC=-3A;IB=-12mA---2.5V
VBE(on)基极-发射极开启电压IC=-3A;VCE=-3V---2.5V
ICBO集电极截止电流VCB=-100V;IE=0---0.2mA
ICBO集电极截止电流VCB=-100V;TC=100℃---2.0mA
ICEO集电极截止电流VCE=-50V;IB=0---0.5mA
IEBO发射极截止电流VEB=-5V;IC=0---2.0mA
hFE直流电流增益IC=-3A;VCE=-3V750----
ton导通时间IC=-3A;IB1=-IB2=-12mA--1.0μs
toff关断时间IC=-3A;IB1=-IB2=-12mA--5.0μs

应用

  1. 音频功放输出级PNP 侧达林顿输出管,与 BD901 组成互补推挽。
  2. 大电流开关继电器、电磁阀、灯控等大电流开关驱动。
  3. 电机驱动小功率直流电机正反转与调速。

注:以上应用场景基于数据手册整理,具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司:无锡固电半导体股份有限公司(ISC)

电话:0510-85346300

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