Silicon PNP Darlington Power Transistor | 品牌:ISC(无锡固电半导体股份有限公司)| www.iscsemi.com
BD902 是一款 -100V / -8A / 70W 的 PNP 达林顿功率三极管,采用 TO-220C 封装,电流增益高达 750 以上,驱动电流极小,适用于音频推挽输出级与通用大电流开关,与 BD901(NPN)互补配对。
| Package | Configuration | VCBO (V) | VCEO (V) | VEBO (V) | IC (A) | PC (W) | VCE(sat) (V) | hFE | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-220C | PNP | -100 | -100 | -5 | -8 | 70 | -2.5 | 750 (Min) | Darlington |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCBO | 集电极-基极电压(发射极开路) | -100 | V |
| VCEO | 集电极-发射极电压(基极开路) | -100 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压(集电极开路) | -5 | V |
| IC | 集电极电流(连续) | -8 | A |
| IB | 基极电流(连续) | -0.3 | A |
| PC | 集电极耗散功率 @ TC=25℃ | 70 | W |
| PC | 集电极耗散功率 @ Ta=25℃ | 2 | W |
| TJ | 结温 | -65 ~ 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度范围 | -65 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth(j-c) | 结-壳热阻 | 1.79 | ℃/W |
| Rth(j-a) | 结-环境热阻 | 62.5 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)CEO | 集电极-发射极击穿电压 | IC=-100mA;IB=0 | -100 | -- | V |
| VCE(sat) | 集电极-发射极饱和压降 | IC=-3A;IB=-12mA | -- | -2.5 | V |
| VBE(on) | 基极-发射极开启电压 | IC=-3A;VCE=-3V | -- | -2.5 | V |
| ICBO | 集电极截止电流 | VCB=-100V;IE=0 | -- | -0.2 | mA |
| ICBO | 集电极截止电流 | VCB=-100V;TC=100℃ | -- | -2.0 | mA |
| ICEO | 集电极截止电流 | VCE=-50V;IB=0 | -- | -0.5 | mA |
| IEBO | 发射极截止电流 | VEB=-5V;IC=0 | -- | -2.0 | mA |
| hFE | 直流电流增益 | IC=-3A;VCE=-3V | 750 | -- | -- |
| ton | 导通时间 | IC=-3A;IB1=-IB2=-12mA | -- | 1.0 | μs |
| toff | 关断时间 | IC=-3A;IB1=-IB2=-12mA | -- | 5.0 | μs |
注:以上应用场景基于数据手册整理,具体选型请以实际应用为准。
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