BD810 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：80V
集电极-基极电压（V_CBO）：80V
集电极电流（I_C）：10A
低饱和压降：V_CE(sat)=1.1V（Max）@ I_C=3A，I_B=0.3A
耗散功率（P_D）：90W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：30（Min）@ I_C=2A
特征频率（f_T）：1.5MHz（Min）
与 BD809（NPN）互补配对
封装：TO-220

BD810 是一款硅 PNP 大功率三极管，采用 TO-220 封装，具有 80V/10A 的电压电流能力与 90W 的耗散功率，电流增益高、饱和压降低，与 NPN 型 BD809 互补配对，适用于高功率音频放大（互补或准互补电路）、串联稳压与功率开关等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-P	80	80	-5	-10	-1.1	30	--	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CEO	集电极-发射极电压	-80	V
V_CBO	集电极-基极电压	-80	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-10	A
I_B	基极电流	-6	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	90	W
P_D	降额系数（T_C>25℃）	0.72	W/℃
T_J, T_stg	工作结温 / 存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_θJC	结-壳热阻	1.39	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BV_CEO	集电极-发射极维持电压	I_C=-0.1A；I_B=0	-80	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-80V；I_E=0	--	-1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_BE=-5V；I_C=0	--	-2.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-2A；V_CE=-2V	30	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-4A；V_CE=-2V	15	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-3A；I_B=-0.3A	--	-1.1	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-4A；V_CE=-2V	--	-1.6	V
f_T	特征频率	I_C=-1A；V_CE=-10V；f=1MHz	1.5	--	MHz

应用

高功率音频放大高功率音频放大器输出级（互补 / 准互补电路）应用。
串联稳压串联型稳压电源（Series pass regulator）应用。
功率开关功率开关（Power switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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