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BD809 国产替代NPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：80V
集电极-发射极电压（V_CEO）：80V
集电极电流（I_C）：10A（连续）
耗散功率（P_D）：90W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：30（Min）@ I_C=2A，15（Min）@ I_C=4A
饱和压降（V_CE(sat)）：1.1V（Max）@ I_C=3A
与 BD810 互补，适合大功率音频功放
封装：TO-220C

BD809 是一款 80V / 10A / 90W 的 NPN 功率三极管，具有高直流电流增益与低饱和压降，专为大功率音频功放的互补或准互补输出级设计，也可用于通用功率开关与稳压。与 BD810（PNP）组成互补对管。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	NPN	80	80	5	10	1.1	30	—	音频功率

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	80	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	10	A
I_B	基极电流（连续）	6	A
P_D	总耗散功率（T_C=25℃）	90	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	1.39	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=0.1A；I_B=0	80	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=80V；I_E=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	2.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=2V	30	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=4A；V_CE=2V	15	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=0.3A	--	1.1	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=4A；V_CE=2V	--	1.6	V
f_T	特征频率	I_C=1A；V_CE=10V；f=1MHz	1.5	--	MHz

应用

大功率音频放大用于音频功放的互补/准互补输出级。
通用功率开关用于电源开关、继电器驱动等。
串联稳压作为调整管用于线性稳压电源。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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