PNP Silicon Power Transistor | 品牌:ISC(无锡固电半导体股份有限公司)| www.iscsemi.com
BD746C 是一款 -100V / -20A / 115W 的 PNP 外延平面功率晶体管,为 BD745 系列 NPN 管的互补器件,主要用于大功率音频放大器的推挽输出级,也适用于开关电源、电机驱动与线性稳压等大电流场景。SOT-93(TO-218)封装便于加装散热器,集电极与安装背板电气连通。
| Package | Polarity | VCEO (V) | VCBO (V) | IC (A) | ICM (A) | Ptot (W) | hFE | Tj (℃) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SOT-93 | PNP | -100 | -110 | -20 | -25 | 115 | ≥40 | 150 |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCBO | 集电极-基极电压(IE=0) | -110 | V |
| VCEO | 集电极-发射极电压(IB=0) | -100 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压 | -5 | V |
| IC | 集电极电流(连续) | -20 | A |
| ICM | 集电极电流(峰值) | -25 | A |
| IB | 基极电流(连续) | -7 | A |
| Ptot | 耗散功率 @ TC=25℃ | 115 | W |
| Ptot | 耗散功率 @ TA=25℃ | 3.5 | W |
| ½LIC2 | 非钳位感性负载能量 | 90 | mJ |
| TA, Tj, Tstg | 工作/结/存储温度范围 | -65 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth(j-c) | 结-壳热阻 | 1.1 | ℃/W |
| Rth(j-a) | 结-环境热阻 | 35.7 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)CEO | 集电极-发射极击穿电压 | IC=-30mA;IB=0 | -100 | -- | V |
| ICBO | 集电极截止电流 | VCB=-110V;IE=0 | -- | -0.1 | mA |
| ICEO | 集电极截止电流 | VCE=-60V;IB=0 | -- | -0.1 | mA |
| IEBO | 发射极截止电流 | VEB=-5V;IC=0 | -- | -0.5 | mA |
| hFE-1 | 直流电流增益 | IC=-1A;VCE=-4V | 40 | 150 | -- |
| hFE-2 | 直流电流增益 | IC=-5A;VCE=-4V | 20 | -- | -- |
| hFE-3 | 直流电流增益 | IC=-20A;VCE=-4V | 5 | -- | -- |
| VCE(sat)-1 | 集电极-发射极饱和压降 | IC=-5A;IB=-0.5A | -- | -1 | V |
| VCE(sat)-2 | 集电极-发射极饱和压降 | IC=-20A;IB=-5A | -- | -3 | V |
| VBE-1 | 基极-发射极电压 | IC=-5A;VCE=-4V | -- | -1 | V |
| VBE-2 | 基极-发射极电压 | IC=-20A;VCE=-4V | -- | -3 | V |
| hfe | 小信号电流增益 | VCE=-10V;IC=-1A;f=1kHz | 25 | -- | -- |
注:以上应用场景基于数据手册整理,具体选型请以实际应用为准。
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