BD745 国产替代NPN Silicon Power Transistor

NPN Silicon Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：45V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：50V
集电极电流（I_C）：20A（峰值 25A）
集电极耗散功率（P_tot）：115W @ T_C=25℃；3.5W @ T_a=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=5A
直流电流增益（h_FE）：40（Min）@ I_C=1A
结-壳热阻（R_θJC）：1.1℃/W
与 BD746 系列（PNP）互补配对
封装：SOT-93（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极，引脚 2 与散热片相连）

BD745 是一款 NPN 硅功率三极管，采用 SOT-93 塑封功率封装，具有 45V/20A 的电压电流能力、115W 的集电极耗散功率与 1.0V 的低饱和压降，开关速度快、电流容量大，与 PNP 型 BD746 系列互补配对，适用于功率开关、电机驱动、稳压电源与音频输出级等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
SOT-93	Single-N	50	45	5	20	1.0	40	150	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压（I_E=0）	50	V
V_CEO	集电极-发射极电压（I_B=0）	45	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	20	A
I_CM	集电极电流（峰值）	25	A
I_B	基极电流（连续）	7	A
P_tot	总耗散功率 @ T_C=25℃	115	W
P_tot	总耗散功率 @ T_a=25℃	3.5	W
T_j	工作结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_θJC	结-壳热阻	1.1	℃/W
R_θJA	结-环境热阻	35.7	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=30mA；I_B=0	45	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CE=50V；V_BE=0	--	0.1	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CE=50V；V_BE=0；T_C=125℃	--	5.0	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=30V；I_B=0	--	0.1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	0.5	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=4V	40	--	--
h_FE	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=4V	20	150	--
h_FE	直流电流增益	I_C=20A；V_CE=4V	5	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=0.5A	--	1.0	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=20A；I_B=5A	--	3.0	V
V_BE	基极-发射极电压	I_C=5A；V_CE=4V	--	1.0	V
V_BE	基极-发射极电压	I_C=20A；V_CE=4V	--	3.0	V

应用

功率开关大电流开关与继电器/螺线管驱动。
电机控制直流电机调速与伺服驱动。
稳压电源串联稳压与线性电源调整。
音频输出音频功放输出级（与 BD746 互补）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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