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BD744 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-50V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-45V
发射极-基极电压（V_EBO）：-5V
集电极电流（I_C）：-15A（连续），峰值 -20A
集电极耗散功率（P_C）：90W @ T_C=25℃，2W @ T_a=25℃
直流电流增益：h_FE=20~150 @ I_C=-5A，5（Min）@ I_C=-15A
集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=-1.0V（Max）@ I_C=-5A
开关速度快：t_d=20ns，t_r=120ns，t_f=300ns
封装：TO-220（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

BD744 是一款 -45V / -15A / 90W 的 PNP 功率三极管，采用 TO-220 封装，电流容量大、饱和压降低，适用于功率放大、稳压与通用功率开关，与 BD743（NPN）互补配对。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-220	PNP	-50	-45	-5	-15	90	-1.0	20 ~ 150	Planar

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压（发射极开路）	-50	V
V_CEO	集电极-发射极电压（基极开路）	-45	V
V_EBO	发射极-基极电压（集电极开路）	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-15	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-20	A
I_B	基极电流（连续）	-5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	90	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	2	W
T_J	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.4	℃/W
R_th(j-a)	结-环境热阻	62.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-30mA；I_B=0	-45	--	V
V_CE(sat)1	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-0.5A	--	-1.0	V
V_CE(sat)2	集电极-发射极饱和压降	I_C=-15A；I_B=-5A	--	-3.0	V
V_BE(on)1	基极-发射极开启电压	I_C=-5A；V_CE=-4V	--	-1.0	V
V_BE(on)2	基极-发射极开启电压	I_C=-15A；V_CE=-4V	--	-3.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-50V；I_E=0	--	-0.1	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-50V；T_C=125℃	--	-5.0	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-30V；I_B=0	--	-0.1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-0.5	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-4V	40	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=-5A；V_CE=-4V	20	150	--
h_FE3	直流电流增益	I_C=-15A；V_CE=-4V	5	--	--

应用

功率放大音频与工业功率放大级，与 BD743 互补配对。
串联稳压电源大电流线性稳压调整管。
功率开关继电器、电磁阀、电机驱动开关。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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