BD743 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：50V
集电极-发射极电压（V_CEO）：45V
集电极电流（I_C）：15A（峰值 20A）
低饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=5A，I_B=0.5A
耗散功率（P_tot）：90W @ T_c=25℃
直流电流增益（h_FE）：20 ~ 150 @ I_C=5A
同系列 BD743A / BD743B / BD743C 耐压分别为 60V / 80V / 100V
与 BD744（PNP）互补配对
封装：TO-220

BD743 是一款硅 NPN 大电流功率三极管，采用 TO-220 封装，具有 45V/15A 的电压电流能力与 90W 的耗散功率，饱和压降低、电流能力强，与 PNP 型 BD744 互补配对，适用于功率线性放大、开关电路与电机驱动等场景；同系列 BD743A/B/C 提供 60V/80V/100V 更高耐压选择。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-N	50	45	5	15	1.0	20	150	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	50	V
V_CEO	集电极-发射极电压	45	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_CM	集电极电流（峰值，t_p≤0.3ms）	20	A
I_B	基极电流（连续）	5	A
P_tot	耗散功率 @ T_c=25℃	90	W
P_tot	耗散功率 @ T_a=25℃（自由空气）	2	W
½LI_C²	非钳位感性负载能量	90	mJ
T_j	工作结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.39	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=30mA；I_B=0	45	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=30V；I_B=0	--	0.1	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=50V；V_BE=0	--	0.1	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=50V；V_BE=0；T_C=125℃	--	5.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	0.5	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=4V	40	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=4V	20	150	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=15A；V_CE=4V	5	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=0.5A	--	1.0	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=15A；I_B=5A	--	3.0	V
V_BE-1	基极-发射极导通电压	I_C=5A；V_CE=4V	--	1.0	V
V_BE-2	基极-发射极导通电压	I_C=15A；V_CE=4V	--	3.0	V
t_d	延迟时间	I_C=5A；I_B1=-I_B2=0.5A；R_L=6Ω	--	0.02	µs
t_r	上升时间	同上	--	0.35	µs
t_s	存储时间	同上	--	0.5	µs
t_f	下降时间	同上	--	0.4	µs

应用

功率线性放大功率线性放大（Power linear amplifier）应用。
功率开关大电流功率开关（Power switching）应用。
电机驱动电机驱动与电源调整（Motor drive / power regulation）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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