BD646 国产替代Silicon PNP Power Darlington

Silicon PNP Power Darlington ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-80V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-60V
集电极电流（I_C）：-8A（峰值 -12A）
高增益达林顿结构：h_FE=750（Min）@ I_C=-3A，V_CE=-3V
低饱和压降：V_CE(sat)=-2.5V（Max）@ I_C=-5A，I_B=-50mA
耗散功率（P_tot）：62.5W @ T_c=25℃
带续流二极管（达林顿内置阻尼二极管）
与 BD645 / BD647 / BD649 / BD651（NPN 达林顿）互补配对
封装：TO-220

BD646 是一款硅 PNP 达林顿功率三极管，采用 TO-220 封装，具有 -60V/-8A 的电压电流能力和高达 750（Min）的直流电流增益，基极驱动电流小、饱和压降低，与 NPN 达林顿 BD645/647/649/651 互补配对，适用于音频输出级、通用放大器与模拟开关等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-P (Darlington)	-80	-60	-5	-8	-2.5	750	--	Silicon PNP Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-60	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-8	A
I_CM	集电极电流（峰值，t_p≤0.3ms）	-12	A
I_B	基极电流（连续）	-0.3	A
P_tot	耗散功率 @ T_c=25℃	62.5	W
P_tot	耗散功率 @ T_a=25℃（自由空气）	2	W
½LI_C²	非钳位感性负载能量	50	mJ
T_j	工作结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.0	℃/W
R_{th j-a}	结-环境热阻（自由空气）	62.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-30mA；I_B=0	-60	--	V
I_CEO	集电极-发射极截止电流	V_CE=-30V；I_B=0	--	-0.5	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-60V；I_E=0	--	-0.2	mA
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-40V；I_E=0；T_C=150℃	--	-2.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-5	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=-3A；V_CE=-3V	750	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=-3A；I_B=-12mA	--	-2.0	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-50mA	--	-2.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-50mA	--	-3.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-3A；V_CE=-3V	--	-2.5	V

应用

音频输出级音频输出级（Audio output stages）应用。
通用放大器音频功率放大与通用放大器（Audio power amps / general amplifier）应用。
模拟开关模拟开关（Analog switches）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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