BD543 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：40V
集电极-发射极电压（V_CEO）：40V
集电极电流（I_C）：8A（峰值 10A）
低饱和压降：V_CE(sat)=0.5V（Max）@ I_C=3A，I_B=0.3A
耗散功率（P_tot）：70W @ T_c=25℃
直流电流增益（h_FE）：60（Min）@ I_C=1A
同系列 BD543A / BD543B / BD543C 耐压分别为 60V / 80V / 100V
与 BD544（PNP）互补配对
封装：TO-220

BD543 是一款硅 NPN 功率三极管，采用 TO-220 封装，具有 40V/8A 的电压电流能力与 70W 的耗散功率，饱和压降低、开关速度快，与 PNP 型 BD544 互补配对，适用于功率线性放大、开关电路与音频输出级等场景；同系列 BD543A/B/C 提供 60V/80V/100V 更高耐压选择。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-N	40	40	5	8	0.5	60	--	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	40	V
V_CEO	集电极-发射极电压	40	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	8	A
I_CM	集电极电流（峰值，t_p≤0.3ms）	10	A
P_tot	耗散功率 @ T_c=25℃	70	W
P_tot	耗散功率 @ T_a=25℃（自由空气）	2	W
T_j	工作结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.79	℃/W
R_{th j-a}	结-环境热阻（自由空气）	62.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=30mA；I_B=0	40	--	V
I_CES	集电极-发射极截止电流	V_CE=40V；V_BE=0	--	0.4	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=30V；I_B=0	--	0.7	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=4V	60	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=4V	40	--	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=4V	15	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=0.3A	--	0.5	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=1A	--	0.5	V
V_CE(sat)-3	集电极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=1.6A	--	1.0	V
V_BE	基极-发射极电压	I_C=5A；V_CE=4V	--	1.4	V
t_on	导通时间	I_C=6A；I_B(on)=0.6A；R_L=5Ω	--	0.6	µs
t_off	关断时间	I_C=6A；I_B(off)=-0.6A；R_L=5Ω	--	1.0	µs

应用

功率线性放大功率线性放大（Power linear amplifier）应用。
开关电路功率开关（Power switching）应用。
音频输出级音频功率放大输出级（与 BD544 互补）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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