BD536 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-60V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-60V
集电极电流（I_C）：-8A
低饱和压降：V_CE(sat)=-0.8V（Max）@ I_C=-2A，I_B=-0.2A
耗散功率（P_tot）：50W @ T_c=25℃
直流电流增益（h_FE）：25（Min）@ I_C=-500mA
特征频率（f_T）：12MHz（Min）
与 BD535（NPN）互补配对
封装：TO-220

BD536 是一款硅 PNP 互补功率三极管，采用 TO-220 封装与平面「基极岛」结构，具有 -60V/-8A 的电压电流能力与 50W 的耗散功率，增益高、饱和压降低，与 NPN 型 BD535 互补配对，适用于音频功率放大、中功率线性放大与开关电路等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-P	-60	-60	-5	-8	-0.8	25	--	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-60	V
V_CES	集电极-发射极电压（V_BE=0）	-60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-60	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流	-8	A
I_B	基极电流	-1	A
P_tot	总耗散功率 @ T_c=25℃	50	W
T_j	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.5	℃/W
R_{th j-a}	结-环境热阻	70	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-60V；I_E=0	--	-0.1	mA
I_CES	集电极截止电流（V_BE=0）	V_CE=-60V	--	-0.1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-1	mA
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=-100mA；I_B=0	-60	--	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=-2A；I_B=-0.2A	--	-0.8	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=-6A；I_B=-0.6A	--	-0.8	V
V_BE	基极-发射极电压	I_C=-2A；V_CE=-2V	--	-1.5	V
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-10mA；V_CE=-5V	20	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-500mA；V_CE=-2V	25	--	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=-2A；V_CE=-2V	15	--	--
f_T	特征频率	I_C=-500mA；V_CE=-1V	12	--	MHz

应用

音频功率放大音频功率放大输出级（与 BD535 组成互补推挽）应用。
中功率线性放大中功率线性放大（Medium power linear amplifier）应用。
开关电路中功率开关（Medium power switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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